MOS管2301 -2.8A-20V產品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V產品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
超高耐壓的器件主要應用場景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅動電源、充電樁，光...超高耐壓的器件主要應用場景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅動電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。 國內專注研發(fā)優(yōu)質MOS管廠家KIA半導體生產的超高壓MOSFET--KN...
MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大...MOS管導通時，Rds會從無窮大將至Rds(on)(一般0.1歐姆級或者更低)。柵極電阻過大時，MOS管導通速度過慢，即Rds的減小要經過一段時間，高壓時Rds會消耗大量功率，導...
KIA12N65H N溝道增強型MOSFET；12N65參數650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效...KIA12N65H N溝道增強型MOSFET；12N65參數650V12A；12N65引腳TO-220F；12N65場效應管中文資料規(guī)格書12N65引腳圖
這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術...這些N溝道增強模式的功率場效應晶體管是用KIA半導體制造的專有、平面、DMOS技術。這項先進的技術經過了特別的調整，以使其最小化通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，并...
MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的，那么在選件選型，電路設計及PCB布局時就...MOSFET的失效很多都是由于過熱導致的，那么在選件選型，電路設計及PCB布局時就要格外注意應用情況和設計余量，確保MOSFET的Tj不會超過其最大值。
