KIA5N50HD?場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=1.0Ω，...KIA5N50HD?場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=1.0Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗以及在峰值電流或脈沖寬度方面...
下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達(dá)100MHz的高速電流反饋集...下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達(dá)100MHz的高速電流反饋集成運(yùn)放0PA603組成二階巴特沃思低通濾波器灘圖中R1=R2=159Ω ，C1=C2=100pF，其截止頻...
在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導(dǎo)通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)...在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導(dǎo)通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)生低阻抗通路，從而引發(fā)大電流通過，對(duì)芯片造成永久性損壞的風(fēng)險(xiǎn)。這種效應(yīng)通常是由...
kia2906ah場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5mΩ...kia2906ah場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5mΩ，低柵極電荷能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗以及高雪崩耐量，高效穩(wěn)定...
線圈可以儲(chǔ)存能量的(線圈會(huì)阻止電流的突變，也就是電磁感應(yīng)作用，即電流只能慢...線圈可以儲(chǔ)存能量的(線圈會(huì)阻止電流的突變，也就是電磁感應(yīng)作用，即電流只能慢慢增大和減少)，如果一下使線圈斷電，兩端就會(huì)產(chǎn)生很大的電壓，這樣就可能使線圈損壞...
在柵極和源極之間施加一個(gè)電壓源VGG，這個(gè)電壓使得柵極帶正電荷，而P型襯底帶負(fù)...在柵極和源極之間施加一個(gè)電壓源VGG，這個(gè)電壓使得柵極帶正電荷，而P型襯底帶負(fù)電荷，從而在柵極和P型襯底之間形成電場。這個(gè)電場會(huì)排斥P型區(qū)中的多數(shù)載流子（空穴...
