通常情況下,智能電量管理鋰電池保護(hù)板設(shè)計(jì)由電量管理芯片和保護(hù)芯片或兩者集成...通常情況下,智能電量管理鋰電池保護(hù)板設(shè)計(jì)由電量管理芯片和保護(hù)芯片或兩者集成的芯片、場(chǎng)效應(yīng)管和外圍阻容器件、保險(xiǎn)絲或PTC等組成;其中保護(hù)芯片一般作為一級(jí)保...
IRFB33N15D,其導(dǎo)通內(nèi)阻低達(dá)56mΩ,最大電流為33A,耐壓卻有150V,常用于DC/DC...IRFB33N15D,其導(dǎo)通內(nèi)阻低達(dá)56mΩ,最大電流為33A,耐壓卻有150V,常用于DC/DC的變換器中,在數(shù)字功放中,也經(jīng)常應(yīng)用。其也有不足的地方,其輸入電容為2020pF,和...
場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)啟電壓也稱閾值電壓,是指在UDS為某一定值條件下,使增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶...場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)啟電壓也稱閾值電壓,是指在UDS為某一定值條件下,使增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)始有漏極電流(例如10μA)時(shí)的UGS值,即UT。從本質(zhì)上看,UP和UT具有相同的意...
30V:30A、50A、85A、90A、100A、150A原廠直銷MOS管-KIA MOS管30V:30A、50A、85A、90A、100A、150A原廠直銷MOS管-KIA MOS管
MOS管電路邏輯:MOS管是單詞的首字母縮寫(xiě),集成電路是一塊微小的硅片,它包含有...MOS管電路邏輯:MOS管是單詞的首字母縮寫(xiě),集成電路是一塊微小的硅片,它包含有幾百萬(wàn)個(gè)電子元件。術(shù)語(yǔ)IC隱含的含義是將多個(gè)單獨(dú)的集成電路集成到一個(gè)電路中,產(chǎn)生...
等效模型:MOS管相比于三極管,開(kāi)關(guān)速度快,導(dǎo)通電壓低,電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,所以越...等效模型:MOS管相比于三極管,開(kāi)關(guān)速度快,導(dǎo)通電壓低,電壓驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,所以越來(lái)越受工程師的喜歡,然而,若不當(dāng)設(shè)計(jì),哪怕是小功率MOS管,也會(huì)導(dǎo)致芯片燒壞,原本...