KIA4610A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流7...KIA4610A場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓100V，漏極電流7.5A，在VGS=10V時，RDS（開啟）=16mΩ（典型值），低柵極電荷，降低開關(guān)損耗，可為大...
KIA7610A場效應(yīng)管能夠代換18p10型號在無創(chuàng)呼吸機(jī)、LED驅(qū)動、控制板中應(yīng)用，KIA...KIA7610A場效應(yīng)管能夠代換18p10型號在無創(chuàng)呼吸機(jī)、LED驅(qū)動、控制板中應(yīng)用，KIA7610A漏源擊穿電壓100V，漏極電流25A，RDS（開）=32mΩ，采用先進(jìn)的溝槽加工技術(shù)，實...
KIA6410A場效應(yīng)管采用溝槽DMOS技術(shù)，經(jīng)過專門定制，漏源擊穿電壓100V、漏極電流...KIA6410A場效應(yīng)管采用溝槽DMOS技術(shù)，經(jīng)過專門定制，漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低導(dǎo)通電阻特性，能夠顯著降低導(dǎo)通電阻，提供...
KPS6110B場效應(yīng)管采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-12A，在VGS=...KPS6110B場效應(yīng)管采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-12A，在VGS=-10V時，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且堅固、綠色設(shè)備可用，在電源管理、直流...
KIA6110A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，是性能出色的N溝道MOSFET，能夠代換12...KIA6110A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，是性能出色的N溝道MOSFET，能夠代換12n10參數(shù)100V，15A場效應(yīng)管在防盜器、LED驅(qū)動、DC-DC電源、負(fù)載開關(guān)中應(yīng)用；KIA6110A...
KPD8610A采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，可以代換nce01p30k參數(shù)-100V，-30A場效應(yīng)管...KPD8610A采用先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)，可以代換nce01p30k參數(shù)-100V，-30A場效應(yīng)管，KPD8610A漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-35A，RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V，極低電...
