無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KNB2915A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A...無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KNB2915A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有極低導(dǎo)通電阻RDS（on）和優(yōu)秀的Qg x RDS...
電機(jī)控制器專(zhuān)用MOS管KNX9130B采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電...電機(jī)控制器專(zhuān)用MOS管KNX9130B采用專(zhuān)有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低導(dǎo)通損耗，具有低柵極電荷最小化開(kāi)...
KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通...KCB3010A是采用先進(jìn)SGT技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，先進(jìn)的雙溝道技術(shù)降低導(dǎo)通損耗、提高開(kāi)關(guān)性能和增強(qiáng)雪崩能量，漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A，低導(dǎo)通電阻（...
無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KCM9860A是一款高壓器件，漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有...無(wú)線(xiàn)充專(zhuān)用MOS管KCM9860A是一款高壓器件，漏源擊穿電壓600V，漏極電流47A；具有堅(jiān)固的高壓終端、指定雪崩能量、與離散快速恢復(fù)二極管相當(dāng)?shù)脑礃O到漏極恢復(fù)時(shí)間、二...
電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400...電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET，漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，RDS（開(kāi)啟）典型值=0.53Ω@VGS=10V，較低的導(dǎo)通電阻，可最大限度地...
調(diào)光專(zhuān)用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開(kāi)）=14.5mΩ（典型...調(diào)光專(zhuān)用MOS管KIA4603A漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，RDS（開(kāi)）=14.5mΩ（典型值）@VGS=10V；具有超低柵極電荷，出色的Cdv/dt效應(yīng)下降，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，...
