KNX2912A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，提供優(yōu)...KNX2912A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓120V，漏極電流130A，提供優(yōu)異的RDS（ON），在VGS=10V時(shí)的RDS（ON）僅為6.0mΩ（典型值），低柵極電荷，在儲(chǔ)能...
KNX3403C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，具有D...KNX3403C場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能優(yōu)越的器件，漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封裝的RDS（ON）分別為4.3mΩ和4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，...
車載逆變器專用場(chǎng)效應(yīng)管KNX2404N采用專有的新型溝槽技術(shù)，具有出色的參數(shù)特性，...車載逆變器專用場(chǎng)效應(yīng)管KNX2404N采用專有的新型溝槽技術(shù)，具有出色的參數(shù)特性，漏源擊穿電壓40V，漏極電流190A，RDS（ON），典型=4mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極...
KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管具有100A、30V的額定參數(shù)，采用了CRM（CQ）先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)...KND3203B場(chǎng)效應(yīng)管具有100A、30V的額定參數(shù)，采用了CRM（CQ）先進(jìn)的溝槽MOS技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻RDS（接通）和優(yōu)秀的QgxRDS（on）產(chǎn)品性能；RDS（開）為3.1m?...
KIA2910A場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有高性能的電子元件，漏源擊穿電壓100V，漏極電流130...KIA2910A場(chǎng)效應(yīng)管是一款具有高性能的電子元件，漏源擊穿電壓100V，漏極電流130A，RDS（開啟）為6.0m?@VGS=10V，具有超低導(dǎo)通電阻，適用于超高密度電池設(shè)計(jì)，100%...
KIA23P10A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，具有出色的特性，漏源擊穿電...KIA23P10A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，具有出色的特性，漏源擊穿電壓為-100V，漏極電流為-23A，表現(xiàn)穩(wěn)定可靠，RDS（ON）值為78mΩ（在VGS=10V時(shí)為典型...
