DTU09N03可用KIA50N03A替代，深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中...DTU09N03可用KIA50N03A替代，深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和...
MOS管 DTU09N03 PDF技術(shù)資料下載 N溝道 TO-252封裝，文中會(huì)有MOS管 DTU09N03規(guī)...MOS管 DTU09N03 PDF技術(shù)資料下載 N溝道 TO-252封裝，文中會(huì)有MOS管 DTU09N03規(guī)格書(shū)、DTU09N03封裝及參數(shù)，請(qǐng)查看原文。
本文主要介紹MOSFET和IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，先簡(jiǎn)單的介紹一下MOSFET和IGB...本文主要介紹MOSFET和IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)，先簡(jiǎn)單的介紹一下MOSFET和IGBT是什么?MOSFET，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)...
NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中...NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和...
下文將會(huì)詳細(xì)的介紹國(guó)產(chǎn)MOS管KNX3308A和HY1906兩個(gè)產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應(yīng)用...下文將會(huì)詳細(xì)的介紹國(guó)產(chǎn)MOS管KNX3308A和HY1906兩個(gè)產(chǎn)品的主要參數(shù)、封裝、應(yīng)用領(lǐng)域等產(chǎn)品信息。KIA半導(dǎo)體是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二...
MOS管NCE3050產(chǎn)品特征 VDS=30V,ID=50A RDS(ON)<11mΩ@VGS=10V RDS(ON)<16mΩ...MOS管NCE3050產(chǎn)品特征 VDS=30V,ID=50A RDS(ON)<11mΩ@VGS=10V RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V 超低RDSON高密度電池設(shè)計(jì) 穩(wěn)定性好，均勻性好 良好的散熱包裝 高靜電...
