KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V,漏極電流可達11A,適用于各種高壓應...KIA6035A場效應管的漏源擊穿電壓高達350V,漏極電流可達11A,適用于各種高壓應用場合,RDS(ON)僅為0.38Ω,在10V的VGS下表現(xiàn)出色、低柵極電荷,僅為15nC,有助于...
KNX4820B場效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流9A,采用了專有新型平面技術,是一...KNX4820B場效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流9A,采用了專有新型平面技術,是一款高性能的器件,RDS(ON),典型=250mΩ@VGS=10V,保證了穩(wěn)定的工作狀態(tài)、低柵極電...
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) :-100A 漏源擊穿電壓 (VD...RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) :-100A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) :-40V 柵極電荷(Qg):115 nC 功耗 (PDM) :83W
P30v MOS,KPE4403A參數(shù)引腳圖 漏極電流 (ID) :-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)...P30v MOS,KPE4403A參數(shù)引腳圖 漏極電流 (ID) :-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) :-30V 柵極電荷(Qg):6.5 nC 功耗 (PDM) :1.5W RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=1...
P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數(shù)引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V...P60v MOS管,60V PMOS管-KPX8106A參數(shù)引腳圖 RDS(ON)=26mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) :-30A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) :-60V 功耗 (PDM) :57W 柵極電...
KNX4665B場效應管具有高擊穿電壓、低導通電阻和低開關損耗等特點,漏源擊穿電壓...KNX4665B場效應管具有高擊穿電壓、低導通電阻和低開關損耗等特點,漏源擊穿電壓高達650V,漏極電流7A,能夠承受較大的電壓壓力、良好的導電性能,RDS(ON)的典型...