KIA2808A產(chǎn)品特征： RDS(on) =4.0毫歐（典型值）@ VGS=10V 100%雪崩測(cè)試 可...KIA2808A產(chǎn)品特征： RDS(on) =4.0毫歐（典型值）@ VGS=10V 100%雪崩測(cè)試 可靠、堅(jiān)固耐用 無(wú)鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
MOSFET，金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管.MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首...MOSFET，金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管.MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開(kāi)始興起，在如今電力電子功率器...
mos恒流電路，由信號(hào)源和電壓控制電流源（VCCS）兩部分組成。正弦信號(hào)源采用直...mos恒流電路，由信號(hào)源和電壓控制電流源（VCCS）兩部分組成。正弦信號(hào)源采用直接數(shù)字頻率合成（DDS）技術(shù)，即以一定頻率連續(xù)從EPROM中讀取正弦采樣數(shù)據(jù)，經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換...
to263貼片mos管引腳圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外...to263貼片mos管引腳圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù)、冷卻的作用,同時(shí)還為芯片提供電氣...
場(chǎng)效應(yīng)管irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì)...場(chǎng)效應(yīng)管irf3205這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計(jì)，使得場(chǎng)效應(yīng)管irf3205成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。TO-220封裝的場(chǎng)效應(yīng)管...
小功率場(chǎng)效應(yīng)管，小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxi...小功率場(chǎng)效應(yīng)管，小功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管）...
