mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱M...mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。MOS晶體管功耗電路，應(yīng)對(duì)器設(shè)計(jì)的...
mos管并聯(lián)方法，并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元...mos管并聯(lián)方法，并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來(lái)指電路中電子元件的...
MOS管KIA2300可替代NCP1117，文中有KIA2300和NCP1117兩個(gè)型號(hào)的中文資料，如有...MOS管KIA2300可替代NCP1117，文中有KIA2300和NCP1117兩個(gè)型號(hào)的中文資料，如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們，KIA半導(dǎo)體將會(huì)竭誠(chéng)為您服務(wù)！
2018 LEXCON深圳國(guó)際電子展 展會(huì)時(shí)間：12月20日-22日 展會(huì)地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心...2018 LEXCON深圳國(guó)際電子展 展會(huì)時(shí)間：12月20日-22日 展會(huì)地點(diǎn)：深圳會(huì)展中心 KIA展位：1號(hào)館1F08 KIA產(chǎn)品：30V-60V-80V-100V 全系列內(nèi)阻齊全，最新超小封裝...
功率MOS管 失效分析、MOS管失效分析案例、功率MOS管失效原因分析、功率場(chǎng)效應(yīng)晶...功率MOS管 失效分析、MOS管失效分析案例、功率MOS管失效原因分析、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管失效分析、功率MOSFET雪崩能量及雪崩失效分析、MOS管失效的六大原因、電子元器...
KIA6410產(chǎn)品描述，N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用溝槽DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的...KIA6410產(chǎn)品描述，N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用溝槽DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別是為了減少對(duì)國(guó)家的阻力，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，在雪崩中承受高能量脈沖。換...
