通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開(kāi)啟電壓，用U...通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱為開(kāi)啟電壓，用UGS(th)或UT表示。 開(kāi)啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開(kāi)啟電壓...
對(duì)于大功率場(chǎng)效應(yīng)管，如圖6-6 (a)所示，從左至右，管腳排列基本為G、D、S極（散...對(duì)于大功率場(chǎng)效應(yīng)管，如圖6-6 (a)所示，從左至右，管腳排列基本為G、D、S極（散熱片接D極）：采用絕緣底板模塊封裝的特種場(chǎng)效應(yīng)管通常有四個(gè)管腳
晶體三極管通常簡(jiǎn)稱為晶體管或三極管，是一種具有兩個(gè)PN結(jié)的mos管半導(dǎo)體器件。...晶體三極管通常簡(jiǎn)稱為晶體管或三極管，是一種具有兩個(gè)PN結(jié)的mos管半導(dǎo)體器件。它是電子電路中的核心器件之一，在各種電子電路中的應(yīng)用十分廣泛。
場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是放大、恒流、阻抗變換、可變電阻和電子開(kāi)關(guān)等。場(chǎng)效應(yīng)管的主要作用是放大、恒流、阻抗變換、可變電阻和電子開(kāi)關(guān)等。
半導(dǎo)體：(室溫)； 鍺：0.67eV 砷化鎵：1.43eV 氧化鋅:3.3 eV半導(dǎo)體：(室溫)； 鍺：0.67eV 砷化鎵：1.43eV 氧化鋅:3.3 eV
場(chǎng)效應(yīng)管較三極管嬌弱，使用不當(dāng)很容易損壞，因此使用時(shí)應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)。 ...場(chǎng)效應(yīng)管較三極管嬌弱，使用不當(dāng)很容易損壞，因此使用時(shí)應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)。 ①應(yīng)根據(jù)不同的使用場(chǎng)合選用適當(dāng)型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)管。常用mos場(chǎng)效應(yīng)管的主要用途...
