MOS二極管在半導(dǎo)體器件在物理中占有極其重要的地位，因?yàn)樗茄芯堪雽?dǎo)體表面特...MOS二極管在半導(dǎo)體器件在物理中占有極其重要的地位，因?yàn)樗茄芯堪雽?dǎo)體表面特性最有用的器件之一．在實(shí)際應(yīng)用中．它是先進(jìn)集成電路中最重要的MOSFFT器件的樞紐．...
線性電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)非?？欤€(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效...線性電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)非?？欤€(wěn)壓性能好，只可惜其功率轉(zhuǎn)換效率太低。要想提高效率，就必須使圖 1-2中的功率調(diào)整器件（即調(diào)整管）處于開關(guān)上作狀態(tài)，再對(duì)圖1-2所示...
MOSFET沒(méi)有存儲(chǔ)時(shí)間 ，只存一個(gè)關(guān)斷延遲時(shí)間 。關(guān)斷延遲時(shí)間是柵極電壓從最高電...MOSFET沒(méi)有存儲(chǔ)時(shí)間 ，只存一個(gè)關(guān)斷延遲時(shí)間 。關(guān)斷延遲時(shí)間是柵極電壓從最高電壓（約為OV ） 下降到電壓 Vd1 圖 9.3 b所需的時(shí)間 。在這個(gè)時(shí)間段內(nèi)漏極電流保持不...
MOSFET 管還有N個(gè)方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點(diǎn)溫度一一比如說(shuō)可以將其設(shè)為 100℃...MOSFET 管還有N個(gè)方法 ，就是設(shè)它的最大結(jié)點(diǎn)溫度一一比如說(shuō)可以將其設(shè)為 100℃。然后假設(shè)一個(gè)合理的較低的 MOSFET 管結(jié)點(diǎn)到外殼的溫升 （ 這樣就小需里太低的外 殼...
它們大多應(yīng)用于低功 率場(chǎng)合 ，這些電路通過(guò)各種方法來(lái)達(dá)到以 F兩個(gè)目標(biāo) ：①用...它們大多應(yīng)用于低功 率場(chǎng)合 ，這些電路通過(guò)各種方法來(lái)達(dá)到以 F兩個(gè)目標(biāo) ：①用最少的元器件獲得反向基極電壓和反向基極電流，或者在關(guān)斷和導(dǎo)通的過(guò)相巾將基極和發(fā)...
如上所述 ，柵極驅(qū)動(dòng)電路必須能輸出電流 ，即成為 “ 源”。同時(shí)，為了提供柵極...如上所述 ，柵極驅(qū)動(dòng)電路必須能輸出電流 ，即成為 “ 源”。同時(shí)，為了提供柵極反向電 壓，驅(qū)動(dòng)電路必須能從柵極抽取電流 ，即成為 “ 匯”。大部分早期的 PWM 芯...
