KNX3303B是一款漏極電流90A，漏源擊穿電壓30V的場效應管，RDS(ON)=2.6mΩ(typ....KNX3303B是一款漏極電流90A，漏源擊穿電壓30V的場效應管，RDS(ON)=2.6mΩ(typ.)@VGS=10V ，極低導通電阻RDS（On）能夠減少導通損耗，還具有低Crss、快速切換、100...
KNX3208A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=1...KNX3208A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，采用專有新溝槽技術，具有低門電荷減小開關損耗、快恢復體二極管等特性，能夠替...
KNX3206A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）...KNX3206A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，低RDS（ON）以最大限度地減少導電損耗，能夠替代irf3205以及80nf70型號進...
KNX3306B場效應管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低Rds...KNX3306B場效應管漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低Rds開啟，最大限度地減少導電損耗，能夠替代stp60nf06型號進行使用，開關速度快，內阻低...
KIA2803A場效應管采用溝槽加工工藝設計，實現(xiàn)極低的導通電阻，漏源擊穿電壓30V...KIA2803A場效應管采用溝槽加工工藝設計，實現(xiàn)極低的導通電阻，漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，RDS(on)=2.2mΩ@VGS=10V，提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS（ON），KIA2803...
KND3203B場效應管采用CRM(CQ)先進溝槽MOS技術，漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A...KND3203B場效應管采用CRM(CQ)先進溝槽MOS技術，漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，提供低柵極電荷的優(yōu)異RDS（ON），能夠替代30h10k型號進行...
