KIA35P10A是一款自動(dòng)化設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用MOS管，采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，提...KIA35P10A是一款自動(dòng)化設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)專用MOS管，采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和柵極電荷。KIA35P10A漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ,RDS(on...
KNX2908B場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的N溝道溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓80V, 漏極電流最大值為...KNX2908B場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的N溝道溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓80V, 漏極電流最大值為130A ,能夠代換110n8f5和100n08這兩款型號(hào)來(lái)使用。
7812，①腳為+24V輸入，②腳為公共地（接-24V），③腳是+12V輸出，輸出的-12V接...7812，①腳為+24V輸入，②腳為公共地（接-24V），③腳是+12V輸出，輸出的-12V接在②腳公共地。
KCX3310A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大為85A；RDS（on）（典型值）=...KCX3310A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大為85A；RDS（on）（典型值）=5mΩ@Vgs=10V，3310A采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，具有極低的開(kāi)關(guān)損耗、卓越的穩(wěn)定性、良好的...
KIA40N20A是一款40A低電流，200V高電壓N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管，以其40A漏...KIA40N20A是一款40A低電流，200V高電壓N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管，以其40A漏極直流電流、200V漏-源電壓的特性，一般推薦用于DC-DC電路的產(chǎn)品，還可以用于逆變電...
KCT1810A參數(shù),240A 100V引腳圖資料 型號(hào)：KCT1810A 漏極-源極電壓：100V 持...KCT1810A參數(shù),240A 100V引腳圖資料 型號(hào)：KCT1810A 漏極-源極電壓：100V 持續(xù)漏極電流:240A 脈沖漏極電流:960A
