KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@V...KIA2906A漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=5.5mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，KIA2906A能夠完美匹配hy1906...
KIA50N03A場(chǎng)效應(yīng)管是采用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制造，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)...KIA50N03A場(chǎng)效應(yīng)管是采用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)工藝制造，具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能、極高的雪崩擊穿耐量，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，卓越高效。KIA50N03A可完...
MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式：SOT-23，?可替...MOS管KIA2300漏源擊穿電壓20V, 漏極電流最大值為6A ,封裝形式：SOT-23，?可替代SI2300以及NCP1117?，KIA2300具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能、可最大限度地...
KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=1...KNX3203B漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V，封裝形式：TO-252，能夠匹配代換svt035r5nd和nce03h11k型號(hào)參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管。
6610A采用KIA先進(jìn)的平面條紋TRENCH技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可最...6610A采用KIA先進(jìn)的平面條紋TRENCH技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。K...
KIA半導(dǎo)體KCX3008A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管能夠完美匹配crss052n08n型號(hào)參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管。KCX...KIA半導(dǎo)體KCX3008A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管能夠完美匹配crss052n08n型號(hào)參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管。KCX3008A漏源擊穿電壓85V, 漏極電流最大值為120A ,RDS(on) =4.5mΩ(typ)@VGS=10V，采用...
