KIA半導體這款KPD7910A型號場效應管能夠完美匹配NCE01P18型號參數(shù)?場效應管。...KIA半導體這款KPD7910A型號場效應管能夠完美匹配NCE01P18型號參數(shù)?場效應管。7910A?為低壓大電流功率場效應管，-28A ,-100V, RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，開...
MOS管42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流最大值為3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@V...MOS管42150A漏源擊穿電壓1500V，漏極電流最大值為3A；RDS（ON），典型=5.5Ω@VGS=10V，采用超高密度電池設計、超低導通電阻，低開關損耗：開關速度快，開關損耗小...
KNF6165C最高承受電壓可達650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏...KNF6165C最高承受電壓可達650V，漏極電流最大值為10A，柵源電壓：±20V，脈沖漏極電流：40A，RDS（ON）=0.8Ω（典型值）@VGS=10V；封裝形式：TO-220F；腳位排列位...
40A 250V場效應管參數(shù),9125A-參數(shù) 漏源電壓：250V 漏極電流：40A 功耗:125W...40A 250V場效應管參數(shù),9125A-參數(shù) 漏源電壓：250V 漏極電流：40A 功耗:125W
型號：TIP35C 類型：NPN三極管 集電極耗散功率（PC）：125 W 集電極電流（I...型號：TIP35C 類型：NPN三極管 集電極耗散功率（PC）：125 W 集電極電流（IC）：25 A
高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）...高壓大功率MOS管KIA28N50漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流最大為28A；RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低電荷最小化開關損耗，開關速度快等優(yōu)點，適用于...
