KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@V...KCX2904A漏源擊穿電壓45V，漏極電流最大為130A；RDS（on）（典型值）=2.0mΩ@Vgs=10V，開(kāi)啟延遲典型值為16nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為44nS，上升時(shí)間18.3nS，下降時(shí)...
MOS管KNX2408A：漏源擊穿電壓80V，漏極電流最大值為190A；RDS (on) = 3.7mΩ(t...MOS管KNX2408A：漏源擊穿電壓80V，漏極電流最大值為190A；RDS (on) = 3.7mΩ(typ)@VGS =10V。KNX2408A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的RDS（ON），低柵極電荷，高效...
MOS管KNX2910A漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大值為130A；低內(nèi)阻：5Ω，采用超高...MOS管KNX2910A漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大值為130A；低內(nèi)阻：5Ω，采用超高密度電池設(shè)計(jì)、超低導(dǎo)通電阻，低開(kāi)關(guān)損耗：開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗小，高效穩(wěn)定。
MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(ty...MOS管KCX3406A：漏源擊穿電壓60V，漏極電流最大值為80A；RDS (on) = 8.5mΩ(typ)@VGS =10V。KCX3406A是采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。...
高壓MOS管KIA5N50H最高承受電壓可達(dá)500V，漏極電流最大值為5A；低內(nèi)阻：1.25Ω...高壓MOS管KIA5N50H最高承受電壓可達(dá)500V，漏極電流最大值為5A；低內(nèi)阻：1.25Ω，能夠承受高電流，使得電器的效率更高，低開(kāi)關(guān)損耗：開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗小，節(jié)能...
大功率高壓MOS管KNK7880A：漏源擊穿電壓高達(dá)800V，漏極電流最大值為27A；RDS (...大功率高壓MOS管KNK7880A：漏源擊穿電壓高達(dá)800V，漏極電流最大值為27A；RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于...
