MOS場效應管6180參數：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（...MOS場效應管6180參數：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（V）：800V；RDS (on) = 0.72mΩ(typ)@V GS =10V。具有低電荷，低反向傳輸電容，開關...
KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這款24A、500V低電流、...KIA24N50功率MOSFET采用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產。這款24A、500V低電流、高電壓的MOS管是能夠匹配：2SK2837、25N50兩款型號，能夠完美代換使用。
KIA20N50具有500V高耐壓，20A漏極直流電流，低反向傳輸電容開關速度快，內阻低...KIA20N50具有500V高耐壓，20A漏極直流電流，低反向傳輸電容開關速度快，內阻低，耐沖擊特性好等特點；在使用性能參數方面能夠匹配型號為IRFP460的國外場效應管，也...
KIA半導體這款18N50H是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計，廣泛應用...KIA半導體這款18N50H是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計，廣泛應用于開關電源、DC-AC電源轉換器，DC-DC電源轉換器，紫外線燈電子鎮(zhèn)流器等產品中。
KIA65R190這種功率MOSFET是使用KIA半導體Semi先進的超級結技術生產的。這項先進...KIA65R190這種功率MOSFET是使用KIA半導體Semi先進的超級結技術生產的。這項先進的技術經過專門定制，可最大限度地減少傳導損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換...
漏源電壓：600V 柵源電壓：±30A 漏電流連續(xù)：12A 脈沖漏極電流：48A漏源電壓：600V 柵源電壓：±30A 漏電流連續(xù)：12A 脈沖漏極電流：48A
