KIA6410A場效應(yīng)管采用溝槽DMOS技術(shù),經(jīng)過專門定制,漏源擊穿電壓100V、漏極電流...KIA6410A場效應(yīng)管采用溝槽DMOS技術(shù),經(jīng)過專門定制,漏源擊穿電壓100V、漏極電流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=10V的低導通電阻特性,能夠顯著降低導通電阻,提供...
KPS6110B場效應(yīng)管采用先進溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-12A,在VGS=...KPS6110B場效應(yīng)管采用先進溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-12A,在VGS=-10V時,RDS(ON)=170mΩ(典型值),可靠且堅固、綠色設(shè)備可用,在電源管理、直流...
KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術(shù),是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12...KIA6110A采用先進的高單元密度溝槽技術(shù),是性能出色的N溝道MOSFET,能夠代換12n10參數(shù)100V,15A場效應(yīng)管在防盜器、LED驅(qū)動、DC-DC電源、負載開關(guān)中應(yīng)用;KIA6110A...
KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術(shù),可以代換nce01p30k參數(shù)-100V,-30A場效應(yīng)管...KPD8610A采用先進的高密度溝槽技術(shù),可以代換nce01p30k參數(shù)-100V,-30A場效應(yīng)管,KPD8610A漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V,極低電...
KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET,采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)...KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET,采用先進的高單元密度溝槽技術(shù),性能優(yōu)越;漏源擊穿電壓為-100V,漏極電流為-23A,低導通電阻RDS(ON)值為78mΩ(...
最大耐壓:30V 最大電流:18A 導通電阻:5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電...最大耐壓:30V 最大電流:18A 導通電阻:5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電容 (Crss):542pF