場(chǎng)效應(yīng)管引見篇 場(chǎng)效應(yīng)結(jié)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱...場(chǎng)效應(yīng)管引見篇 場(chǎng)效應(yīng)結(jié)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））職稱場(chǎng)效應(yīng)管。由少數(shù)載流子參加導(dǎo)熱，也稱為多極型結(jié)晶體管。它歸于電壓掌握型半超導(dǎo)體...
來自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，...來自韓國科學(xué)技術(shù)學(xué)院（Korea Advanced Institute of Science and Technology，KAIST）的團(tuán)隊(duì)研發(fā)了一種用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高性能超薄聚合絕緣體。
KCX3650A場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流60A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先...KCX3650A場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流60A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）50mΩ，采用先進(jìn)的端接方案來提供增強(qiáng)的電壓阻斷能力，而不會(huì)隨著時(shí)間的推移降低性能；堅(jiān)固的高壓...
KIA65R300FS場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流15A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.27Ω，低...KIA65R300FS場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流15A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.27Ω，低柵極電荷（典型值43nC），高堅(jiān)固性、快速切換確保電路高效穩(wěn)定，100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)...
KIA65R190FS場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流20A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.16Ω，低...KIA65R190FS場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流20A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.16Ω，低柵極電荷（典型值70nC），具有高堅(jiān)固性、快速切換、100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt功能增...
KIA12N65H場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流12A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效...KIA12N65H場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓650V，漏極電流12A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.63Ω，高效低耗；低柵極電荷（典型值52nC），最小化開關(guān)損耗，快速切換能力在電路中能夠迅速響...
