KNY3103A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為1...KNY3103A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流110A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為1.9mΩ，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；快速切換、100%雪崩測試、允許...
當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFET就會進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開通后，Vds開始下...當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFET就會進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會持續(xù)一段時間不再上升...
場效應(yīng)管有三種組態(tài)放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路...場效應(yīng)管有三種組態(tài)放大電路，分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。 （1）共源放大器 如圖所示，它相當(dāng)于晶體三極管中的共發(fā)射極放大器，是一種常...
KPE4703A場效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流-8A，導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為19mΩ，出色...KPE4703A場效應(yīng)管漏源電壓-30V，漏極電流-8A，導(dǎo)通電阻RDS(on)僅為19mΩ，出色的RDS(ON)和低柵極電荷，有效降低電路中的開關(guān)損耗，提高整體效率；KPE4703A采用先進(jìn)...
雙極結(jié)型晶體管，外部引出三個極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，...雙極結(jié)型晶體管，外部引出三個極：集電極，發(fā)射極和基極，集電極從集電區(qū)引出，發(fā)射極從發(fā)射區(qū)引出，基極從基區(qū)引出（基區(qū)在中間）；BJT有放大作用，主要依靠它的...
