?電路設(shè)計中dummy的作用、MOS管的dummy解析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-09-28
在IC版圖設(shè)計中除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能確保LVS驗證正確外，還要增加一些與LVS（電路匹配）無關(guān)的圖形，以減小中間過程中的偏差，我們通常稱這些圖形為dummy layer。
dummy layer的用途：
1、保證可制造性，防止芯片在制造過程中由于曝光過渡或不足而導致的蝕刻失敗：如在tapeout的時候會檢查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；
2、避免由于光刻過程中光的反射與衍射而影響到關(guān)鍵元器件物理圖形的精度進又而影響其size：如在模擬電路的電阻、電容陣列外圍加上dummy res和dummy cap等，以及關(guān)鍵MOS附近加dummy MOS等；
3、避免芯片中的noise對關(guān)鍵信號的影響，在關(guān)鍵信號的周圍加上dummy routing layer后者dummy元器件：
如對于某些易受干擾的信號線除了盡量減小其走線長度外，還應(yīng)該在其走線的左右和上下都加上dummy metal/poly并接地，保證其不受noise的影響。在cap外圍加dummy cap也有類似的作用。
1、MOS dummy
在MOS兩側(cè)增加dummy poly，避免Length受到影響。對NMOS先加P type guard ring 連接VSS，接著加N type guard ring 連接VDD。
對PMOS先加N type 連接VDD，接著加P type連接VSS。拆分MOS應(yīng)為偶數(shù)根，Source端與四周guar ring就近連接。比如拆分NMOS為偶數(shù)根， 連接VSS的端在外側(cè)并直接與四周guard ring相連。
2、RES dummy
類似于MOS dummy方法增加dummy， 有時會在四周都加上。在poly/diff 電阻下面增加nwell 減輕noise 對電阻的影響，nwell連接高電位與sub反偏。
Nwell電阻四周加sub cont 連接VSS。Nwell電阻為了降低光照使電阻阻值下降的影響，在上面覆蓋metal并連接高電位。其次為給nwell電阻足夠的margin 通常nwell寬度5-6um。
3、CAP dummy
增加dummy方法類似，用Nwell阻擋相自于substrate的noise，Nwell接高電位與sub 反偏。
4、關(guān)鍵走線與左右或上下走線的屏蔽采用相同層或中間層連接VSS來處理。
在MOS管的兩側(cè)增加Dummy POly,避免柵的長度受到影響,如下圖所示。
ADR510ART-R2當要加保護環(huán)時,對NMOS管先加P型保護環(huán)連接到地,接著加N型保護環(huán)連接到電源。對PMOS先加N型保護環(huán)連接到電源,接著加P型保護環(huán)連接到地。
類似于MOs的Dummy方法,有時會在四周都增加Dummy。在多晶或擴散區(qū)電阻的下面增加N阱可以減輕噪聲對電阻的影響,N阱連接高電位與襯底反偏,如圖所示。
為了降低光照使電阻阻值下降的影響,應(yīng)在N阱電阻上面覆蓋金屬并連接高電位。
電容增加Dummy方法與MOs管類似,N阱用于阻擋來自襯底的噪聲,N阱接高電位,而襯底則反偏,如圖所示。
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