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什么是MOSFET跨導(dǎo)及夾斷區(qū)?詳解-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2021-11-17 

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什么是MOSFET跨導(dǎo)及夾斷區(qū)?詳解-KIA MOS管


MOSFET跨導(dǎo)及夾斷區(qū)

相比于晶體管,MOSFET這個(gè)管子相對(duì)來說比較復(fù)雜,它的工作過程理解起來還是有一定難度的。那么這其中最難以理解的部分,可能還是MOS管開關(guān)損耗的理解。


相比導(dǎo)通損耗和續(xù)流損耗,MOS管開通和管斷的過程要復(fù)雜得多。為了對(duì)MOS的開通過程有更好的分析,我們先回顧兩個(gè)比較基本的概念。


U = I*R,R是電阻,它可以有效地表示流過電阻的電流變化對(duì)它兩端電壓的影響作用,比如如果流過這個(gè)電阻的電流越大,那么它兩端的電壓也就越高。


電導(dǎo)是電阻的倒數(shù),如果我們用Λ來表示的話,那么上面這個(gè)式子就可以轉(zhuǎn)換為I=ΛU。


這個(gè)式子可以用來表示一個(gè)回路中電壓的變化對(duì)流過這個(gè)器件電流的影響。


這個(gè)影響可以是幅值,也可以是相位,幅值的影響大家都比較清楚,比如加在電阻兩端的電壓越高,那么流過它的電流也就越大。在對(duì)相位的影響上,最典型的場(chǎng)景,比如LC并聯(lián)諧振電路。


在MOS管這個(gè)器件,存在著一個(gè)跨導(dǎo)的概念。那么跨導(dǎo),本質(zhì)上還是電導(dǎo),表示一個(gè)器件中電壓的變化對(duì)電流的影響,但是它描述的卻是兩個(gè)回路的相關(guān)參數(shù)之間的關(guān)系。


具體在MOS中,跨導(dǎo)gm表示的是Vgs也就是柵極電壓對(duì)Ids的影響,用公式來描述的話,就是Ids = gm*(Vgs-Vth)。


上面這個(gè)公式表示的是什么意思呢?

①只有當(dāng)Vgs的電壓超過Vth電壓之后,Ids電流才會(huì)發(fā)生明顯的變化。


②在Vgs達(dá)到平臺(tái)電壓之前,Ids的電流和(Vgs-Vth)這兩者之間的差值呈現(xiàn)一個(gè)正比關(guān)系,這個(gè)正比關(guān)系的比例系數(shù)就是跨導(dǎo)。


跨導(dǎo)這個(gè)概念,有點(diǎn)類似晶體管里面的電流放大倍數(shù)β,但是β這個(gè)參數(shù)表示的是電流和電流之間的關(guān)系,所以是放大倍數(shù),不能稱之為跨導(dǎo)??鐚?dǎo)這個(gè)特性是MOS管固有的自然屬性。


另外一個(gè)比較難以理解的過程,在平臺(tái)區(qū),Vds的電壓才開始直線下降。實(shí)際上Vds下降的過程對(duì)應(yīng)著夾斷區(qū)不斷變長(zhǎng)的過程。


夾斷點(diǎn)的電壓Vpinch-off始終等于Vgs – Vth,也就是不變的。隨著夾斷區(qū)不斷變長(zhǎng),Vds的電壓肯定是不斷變小的,當(dāng)D端(漏極)的電壓也達(dá)到Vgs-Vth時(shí),MOS管也就基本被完全開通了。


在后續(xù)的過程中,Vd的電壓會(huì)逐漸降低到0V,這個(gè)時(shí)候基本上Vgd = Vgs(忽略MOS管導(dǎo)通阻抗的話)。一般在實(shí)際項(xiàng)目中,我們還會(huì)繼續(xù)抬升Vgs,進(jìn)一步拓寬溝道寬度,進(jìn)而減小Rds,但是這個(gè)時(shí)候Vgs的作用已經(jīng)很小了。


分析清楚了兩個(gè)相對(duì)比較難以理解的過程,我們下面就可以較為詳細(xì)地推導(dǎo)出管開關(guān)損耗相關(guān)計(jì)算了。但是大家注意了,這些計(jì)算本質(zhì)上還只是近似估算,某種意義上講開關(guān)損耗是沒有辦法精確計(jì)算的。


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MOSFET 跨導(dǎo) 夾斷區(qū)


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