50n06場效應(yīng)管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-03
KIA50N06BD場效應(yīng)管漏源電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds開啟，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；高雪崩電流，能夠承受較高的電壓脈沖，提高可靠性，確保在應(yīng)用中高效穩(wěn)定；無鉛綠色環(huán)保，適用于適配器、開關(guān)電源、UPS電源、車載功放、電動工具中；封裝形式：TO-252。
漏流電壓：60V
柵源電壓（連續(xù)）：±25V
連續(xù)漏電流：50A
脈沖漏極電流：250A
雪崩能量：120A
功耗：88W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：60V
柵極閾值電壓：3V
輸入電容：2060 PF
輸出電容：755 PF
開通延遲時間：14nS
關(guān)斷延遲時間：20nS
上升時間：13 ns
下降時間：7.5ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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