充電器mos管,500v5a場效應(yīng)管,TO-252,?KIA5N50HD參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-20
KIA5N50HD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(on)=1.0Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗以及在峰值電流或脈沖寬度方面表現(xiàn)出卓越的性能，高效穩(wěn)定，符合RoHS環(huán)保要求，專用于HD安定器、適配器、充電器和SMPS備用電源中，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：500V
漏極電流：5A
柵源電壓：±20V
閾值電壓：2-4V
單脈沖雪崩能量：260MJ
功率耗散：100W
總柵極電荷：14nC
輸入電容：525PF
輸出電容：64PF
反向傳輸電容：12PF
開通延遲時間：9nS
關(guān)斷延遲時間：30nS
上升時間：11ns
下降時間：16ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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