可控硅觸發(fā)電路,脈沖信號(hào),電路原理圖分享-KIA MOS管

可控硅觸發(fā)電路-脈沖信號(hào)

為了降低柵極功率耗散，可控硅觸發(fā)電路產(chǎn)生單個(gè)脈沖或一串脈沖，而不是連續(xù)的直流柵極信號(hào)，這可以精確控制可控硅SCR的觸發(fā)點(diǎn)，此外，很容易在可控硅SCR和柵極觸發(fā)電路之間提供電氣隔離。

如果多個(gè)可控硅SCR從同一個(gè)源選通，則通過脈沖變壓器或光耦合器進(jìn)行電氣隔離很重要，隔離還可以減少不需要的信號(hào)，例如瞬態(tài)噪聲信號(hào)，這些信號(hào)可能會(huì)無意中觸發(fā)敏感的SCR。

上圖顯示了使用單結(jié)晶體管(UJT)振蕩器產(chǎn)生脈沖的最常見方法，該電路非常適合觸發(fā)可控硅SCR。

它在B處提供一系列窄脈沖，當(dāng)電容充電到UT的峰值電壓(V_)時(shí)，UJT開啟。這會(huì)在發(fā)射極–基極1結(jié)上放置一個(gè)低電阻，并且發(fā)射極電流流過脈沖變壓器的初級(jí)，將柵極信號(hào)施加到可控硅SCR，可以通過增加C的值來增加輸出信號(hào)的脈沖寬度。

該電路的一個(gè)困難是，由于脈沖寬度窄，在去除柵極信號(hào)之前可能無法獲得鎖存電流。不過一個(gè)RC緩沖電路可以用來消除這個(gè)問題。

上圖所示電路的操作與此類似，通過使用R兩端的輸出來驅(qū)動(dòng)與變壓器初級(jí)串聯(lián)的晶體管Q，可以改善脈沖的寬度和上升時(shí)間。

當(dāng)來自UJT的脈沖施加到Q的基極時(shí)，晶體管飽和，并且電源電壓V_被施加在初級(jí)兩端，這會(huì)在脈沖變壓器的次級(jí)感應(yīng)出一個(gè)電壓脈沖，該電壓脈沖被施加到可控硅SCR。當(dāng)脈沖到IQ的基極被移除時(shí)，它關(guān)閉。

由變壓器中的塌陷磁場引起的電流在初級(jí)繞組上感應(yīng)出一個(gè)相反極性的電壓，二極管D在此期間為電流提供路徑。

使用DIAC的類似電路（上圖）在由RC時(shí)間常數(shù)確定的一段時(shí)間內(nèi)為電容緩慢充電。在電容充電到等于DIAC的擊穿電壓的電壓后，它會(huì)將DIAC切換到導(dǎo)通狀態(tài)。

然后電容迅速放電到可控硅SCR的柵極端子，短暫的間隔后，DIAC關(guān)閉并重復(fù)循環(huán)。

這種安排需要相對(duì)較低的功率來從直流電源為電容充電，但它會(huì)在短時(shí)間內(nèi)提供大功率以實(shí)現(xiàn)可靠的可控硅SCR開啟，波形如下圖所示。

下圖中觸發(fā)電路使用光耦合器在控制電路和負(fù)載之間實(shí)現(xiàn)電氣隔離。

通過光耦合器觸發(fā)還可以防止噪聲或瞬變?cè)斐傻腻e(cuò)誤觸發(fā)，這種觸發(fā)技術(shù)在固態(tài)繼電器中特別流行。

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