單節(jié)鋰電池保護(hù),電池充放電,保護(hù)板電路圖-KIA MOS管

鋰電池保護(hù)板電路設(shè)計(jì)

1.接地側(cè)，源極背靠背

背靠背連接，都是為了避免體二極管流過不必要的電流，如圖所示，兩個(gè)N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并放置在GND側(cè)，這種結(jié)構(gòu)很少用于PCM，但有時(shí)用于通信系統(tǒng)的負(fù)載開關(guān)和熱插拔電路。

保護(hù)板,充放電,電路

功率MOSFET的源極背靠背連接

2.高壓側(cè)，漏極背靠背

如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET，Q2是用于電池充電的功率MOSFET。兩個(gè)N溝道功率MOSFET放置在正端，因此需要兩個(gè)充電泵來啟用浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)。

保護(hù)板,充放電,電路

高側(cè)功率MOSFET，漏極背靠背連接

如圖所示，放置在電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)充電和放電N溝道功率MOSFET源極背靠背連接。兩個(gè)N溝道功率MOSFET使用公共源極，因此需要充電泵來驅(qū)動(dòng)。這種結(jié)構(gòu)也用于負(fù)載開關(guān)。

保護(hù)板,充放電,電路

高端功率MOSFET，源極背靠背連接

3.大電流并聯(lián)多個(gè)MOSFET

為了提高電子系統(tǒng)的使用時(shí)間和待機(jī)時(shí)間，電池的容量正在增加，例如3000mAh到5000mAh甚至更大。為了縮短充電時(shí)間和提高充電速度，通常采用快速充電，即通過更大的充電電流對電池充電，例如4A、5A、6A，甚至大到8A。這樣一來PCM內(nèi)部功率MOSFET的功耗非常高，溫度也非常高。為了降低溫度并確保功率MOSFET的可靠運(yùn)行，可以并聯(lián)使用兩個(gè)或多個(gè)MOSFET，如圖所示。

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