150N03場效應管代換型號KNB2803B漏源擊穿電壓30V,漏極電流150A,采用先進溝槽...150N03場效應管代換型號KNB2803B漏源擊穿電壓30V,漏極電流150A,采用先進溝槽加工技術,極低的導通電阻RDS(on)為2.1mΩ,最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗...
dfn封裝和qfn封裝是一種無引腳表面貼裝封裝結構,它們都是現(xiàn)代底部排放封裝形式...dfn封裝和qfn封裝是一種無引腳表面貼裝封裝結構,它們都是現(xiàn)代底部排放封裝形式,頂部嵌入式封裝;dfn封裝是單元體(footprint)的尺寸略大,在焊點面積、耐受能力...
引腳分布1腳為柵極,3腳為源極,2、4腳為漏極。有些封裝2腳伸出可焊接,有些封...引腳分布1腳為柵極,3腳為源極,2、4腳為漏極。有些封裝2腳伸出可焊接,有些封裝2腳懸空。
KNY3103A場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流110A,極低的導通電阻RDS(on)僅為1...KNY3103A場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流110A,極低的導通電阻RDS(on)僅為1.9mΩ,能夠最大限度地減少導電損耗,最小化開關損耗;快速切換、100%雪崩測試、允許...
當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFET就會進入開通狀態(tài);當MOSFET開通后,Vds開始下...當Cgs達到門檻電壓之后, MOSFET就會進入開通狀態(tài);當MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時MOSFET進入飽和區(qū);但由于米勒效應,Vgs會持續(xù)一段時間不再上升...
場效應管有三種組態(tài)放大電路,分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路...場效應管有三種組態(tài)放大電路,分別是共源放大電路、共漏放大電路和共柵放大電路。 (1)共源放大器 如圖所示,它相當于晶體三極管中的共發(fā)射極放大器,是一種常...