諸如放大器和轉(zhuǎn)換器等模擬集成電路具有至少兩個或兩個以上電源引腳。對于單電源...諸如放大器和轉(zhuǎn)換器等模擬集成電路具有至少兩個或兩個以上電源引腳。對于單電源器件，其中一個引腳通常連接到地。如ADC和DAC等混合信號器件可以具有模擬和數(shù)字電源...
在電源等設備中通常需要做電流檢測或反饋，電流檢測通常用串聯(lián)采樣電阻在通過放...在電源等設備中通常需要做電流檢測或反饋，電流檢測通常用串聯(lián)采樣電阻在通過放大器放大電阻上的電壓的方法，如果要提高檢測精度這地方往往要用到比較昂貴的儀表放...
MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切換 ...MOS管4.0A600V KNX4360A特征 RDS(ON)=1.9Ω(typ.)@VGS=10V,ID=2A 快速切換 雪崩測試100% 提高dv/dt能力
影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設計方面的，如材料、器件和工藝...影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設計方面的，如材料、器件和工藝等的選??；有工藝方面的，如物理、化學等工藝的不穩(wěn)定性；也有使用方面的，如電、熱...
為了有效地抑制短溝道效應，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長度...為了有效地抑制短溝道效應，并保持良好的亞閾值斜率，柵氧化層厚度要和溝道長度以同樣的比例下降。對于0.1μm尺度的CMOS器件，柵氧化層厚度需達到3nm左右。對于超...
電子電路中常用的保護器件有：穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、...電子電路中常用的保護器件有：穩(wěn)壓二極管、瞬態(tài)電壓抑制TVS管、ESD放電二極管、半導體放電管等先進的新型電子元器件。保護元器件，主要保護電子電路中的精密器件免...
